HN0070-N085C3

Product introduction

This series of products adopts a glass passivation process to protect the PN junction and SIPOS layer, ensuring stable and reliable product performance

Product manufacturing is controlled by vehicle regulations from resistivity to process, resulting in high consistency of product parameters

Product characteristics

The peak pulse power of a single chip is 600W (10x1000us waveform)

SMT Packaging Applicable (SMBJ)

Response speed less than 1nS, excellent voltage clamping ability

Meets IEC-61000-4-5 surge test

Application scenario

EV Electric Vehicle IGBT C-G End Active Clamp Protection

G-E end electrostatic protection

12V, 24V lead-acid battery power bus anti-interference protection

BMS battery management system overvoltage protection

Various ECU control unit protection

CAN, LIN bus protection

Protection of various automotive sensor circuits

24.svg
Capital Retention Form

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