HN0114-N022C3

Product introduction

This series of products adopts a glass passivation process to protect the PN junction and SIPOS layer, ensuring stable and reliable product performance

Product manufacturing is controlled by vehicle regulations from resistivity to process, resulting in high consistency of product parameters

Product characteristics

The peak pulse power of a single chip is 1500W (10x1000us waveform)

SMT Packaging Applicable (SMCJ)

Response speed less than 1nS, excellent voltage clamping ability

Meets IEC-61000-4-5 surge test

Application scenario

EV electric vehicle IGBT C-G end active clamp protection

12V, 24V lead-acid battery power bus anti-interference protection

BMS battery management system overvoltage protection

Various ECU control unit protection

CAN, LIN bus protection

Protection of various automotive sensor circuits

24.svg
Capital Retention Form

Province

北京市

天津市

河北省

山西省

内蒙古自治区

辽宁省

吉林省

黑龙江省

上海市

江苏省

浙江省

安徽省

福建省

江西省

山东省

河南省

湖北省

湖南省

广东省

广西壮族自治区

海南省

重庆市

四川省

贵州省

云南省

西藏自治区

陕西省

甘肃省

青海省

宁夏回族自治区

新疆维吾尔自治区

City

Scene selection*

Need to get quotation quickly

The engineer is required to help with model selection

Please enter the verification code*

I have carefully read and agreedPrivacy Statement

Submit

Province

北京市

天津市

河北省

山西省

内蒙古自治区

辽宁省

吉林省

黑龙江省

上海市

江苏省

浙江省

安徽省

福建省

江西省

山东省

河南省

湖北省

湖南省

广东省

广西壮族自治区

海南省

重庆市

四川省

贵州省

云南省

西藏自治区

陕西省

甘肃省

青海省

宁夏回族自治区

新疆维吾尔自治区

City

Ordering products*

Wafer

芯片成品

Please enter the verification code*

I have carefully read and agreedPrivacy Statement

Submit